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低壓降年度爆款

SBT20100VF和SBT20100UF此類20A，100V低正向肖特基產(chǎn)品是2016年市場(chǎng)熱點(diǎn)產(chǎn)品，定額電流下，正向壓降比常規(guī)肖特基低近30%。采用先進(jìn)的溝槽制造工藝,可提高2%以上的滿載效率.ASEMI品牌低壓降肖特基的SBT20100VF和SBT20100UF，兩者都是采用TRENCH先進(jìn)工藝，同是三只腳共陰結(jié)構(gòu)。

SBT20100VF的V代表V版LOW VF（100V V版VF=0.63v）,而SBT20100UF的是代表

ULTRA LOW VF（100V U版VF=0.58v）。我們也可以從表圖看出SBT20100VF和

SBT20100UF之間差異主要在于VF值。

歷經(jīng)三代更替

首先，我們ASEMI品牌的低壓降肖特基二極管，歷經(jīng)五年開發(fā)，目前已擁有三代LOW VF SKY。該產(chǎn)品主要專注于對(duì)電源轉(zhuǎn)換效率,而達(dá)到超低VF值特性和快速開關(guān)特性，能助您電源產(chǎn)品提升電源開關(guān)效率及節(jié)能的要求，ASEMI對(duì)低壓降肖特基二極管每一代都有著新突破的技術(shù)更新。

平面工藝分解（第二代）

ASEMI低壓降肖特基第二代，采用平面MOS工藝，將MOSFET制造工藝融入于肖特基芯片制程中，增加芯片晶胞結(jié)構(gòu)的密度，從而克服傳統(tǒng)肖特基在VF和IR在參數(shù)上的平衡問題，即保持了傳統(tǒng)肖特基的優(yōu)點(diǎn)，又解決了傳統(tǒng)肖特基在漏電設(shè)計(jì)上做遇到的屏障。ASEMI品牌五年來對(duì)該技術(shù)專研，如今又有著何“芯”突破呢？