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ASEMI上新三極管8050/8550對管SOT-23封裝|新款推薦

返回列表來源:ASEMI 作者:ASEMI-NEYA 發布日期:2021.09.17 瀏覽:-
摘要:8050 描述/Descriptions SOT-23塑封封裝NPN半導體三極管。 特征/Features 與8550互補。 Complementary pair with 8550M. 用途/Applications 用于功率放大電路。 Power amplifier applications.

ASEMI三極管8050/8550對管

SOT-23封裝尺寸參數

ASEMI上新三極管8050/8550對管SOT-23封裝|新款推薦

8050

描述/Descriptions

SOT-23塑封封裝

NPN半導體三極管

特征/Features

與8550互補

Complementary pair with 8550M.

用途/Applications

用于功率放大電路。

Power amplifier applications.

集電極至基極擊穿電壓

VCBO IC = 0.1mA IE = 0 40 V

集電極到發射極的擊穿電壓

VCEO IC = 2.0mA IB = 0 25 V

發射極至基極擊穿電壓

VEBO IC = 0.1mA IC = 0 6.0 V

集電極截止電流

ICBO VCB = 35V IE = 0 0.1μA

發射極截止電流

IEBO VEB = 6.0V IC = 0 0.1μA

ASEMI上新三極管8050/8550對管SOT-23封裝|新款推薦

8550

描述/Descriptions

SOT-23塑封封裝

PNP半導體三極管

特征/Features

與8050互補

Complementary pair with 8550M.

用途/Applications用于功率放大電路

Power amplifier applications.

集電極-發射極飽和電壓

VCE(sat)IC = -800mA IB = -80mA -0.28 -0.5 V

基極-發射極飽和電壓

VBE(satIC = -800mA IB = -80mA -0.98 -1.2 V

基極-發射極電壓

VBE VCE = -1.0V IC = -10mA -0.66 -1.0 V

過渡頻率

fT VCE = -10V IC = -50mA 100200 MHz


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