您所在的位置是: 首頁(yè) » ASEMI學(xué)院 » 大師談 » 你知道塑封和鐵頭封裝對(duì)ASEMI低壓降各有什么影響嗎?
塑封與鐵頭封裝對(duì)ASEMI產(chǎn)品低壓降技術(shù)有什么影響
在上一篇,我們初步了解了“VCT”與“VFCT”隱藏的含義差別,現(xiàn)在ASEMI工程師將以標(biāo)準(zhǔn)大電流的低壓降肖特基二極管SBT3045VCT與SBT3045VFCT為例繼續(xù)深入為大家介紹使用不同的封裝形式對(duì)ASEMI低壓降性能的影響。
SBT3045VFCT與SBT3045VCT對(duì)比情況
無(wú)論是常規(guī)的二極管還是低壓降肖特基二極管都有鐵頭和塑封之分。鐵頭封裝也被稱為半塑封,采用的是TO-220封裝;
塑封也可以稱作全塑封封裝,采用的是ITO-220AB封裝。對(duì)應(yīng)下來(lái),我們就可以分別對(duì)SBT3045VFCT與SBT3045VCT這兩個(gè)型號(hào)的封裝有有明確地了解。
SBT3045VFCT參數(shù)解讀
封裝:ITO-220AB
特性:低壓降肖特基二極管
電性參數(shù):30A45V
正向電流(Io):20A
芯片個(gè)數(shù):2
正向電壓(VF):0.54V
芯片尺寸:93MIL
浪涌電流Ifsm:120A
漏電流(Ir):20UA
SBT3045VCT參數(shù)解讀
特性:低壓降肖特基二極管
電性參數(shù):30A45V
正向電流(Io):20A
芯片個(gè)數(shù):2
正向電壓(VF):0.54V
芯片尺寸:93MIL
浪涌電流Ifsm:120A
漏電流(Ir):20UA
到底選擇哪一種更好
事實(shí)上,兩個(gè)封裝的電性參數(shù),性能質(zhì)量,包括外形尺寸,都是一模一樣的,以及生產(chǎn)成本,都是不差毫厘的。
從實(shí)用性來(lái)說(shuō),鐵頭的導(dǎo)電性能、散熱性能則是比塑封封裝的更好一些。
因此在低壓降性能上,與塑封比較來(lái)說(shuō),具有良好散熱性能的鐵頭封裝能夠更好地發(fā)揮低壓降肖特基優(yōu)勢(shì),能耗低,行業(yè)技術(shù)水平標(biāo)準(zhǔn)高!
質(zhì)量問(wèn)題,就如同上文我提到的,兩個(gè)封裝的電性參數(shù),性能質(zhì)量是沒(méi)有 差別的,如果您的電路中沒(méi)有散熱高要求,沒(méi)有絕緣高要求,沒(méi)有導(dǎo)電高要求的話,您可以隨意購(gòu)買(mǎi)ASEMI低壓降肖特基二極管SBT3045VFCT塑封ITO-220AB和SBT3045VCT鐵頭TO-220封裝任意一個(gè)型號(hào)!
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