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晶圓術(shù)語含義解釋

ASEMI帶你暢游晶圓世界

晶圓在很多人眼里都是一個(gè)謹(jǐn)慎的，一絲不茍的物體，它需要很多工序，它需要很深的鉆研，它需要很細(xì)的程序。

所以，晶圓的一生當(dāng)中要經(jīng)歷過多道工序，這也就造就了龐大的晶圓術(shù)語詞庫(kù)。

ASEMI半導(dǎo)體要和您一起來研究的，就是這晶圓術(shù)語了。

由于晶圓術(shù)語實(shí)在是太多，ASEMI半導(dǎo)體為了精簡(jiǎn)，就簡(jiǎn)單地介紹其中一部分的含義了。

01

套準(zhǔn)精度-在光刻工藝中轉(zhuǎn)移圖形的精度;

向異性 - 在蝕刻過程中，只做少量或不做側(cè)向凹刻;沾污區(qū)域 - 任何在晶圓片表面的外來粒子或物質(zhì);

橢圓方位角 - 測(cè)量入射面和主晶軸之間的角度;

背面 - 晶圓片的底部表面;

底部硅層 - 在絕緣層下部的晶圓片，是頂部硅層的基礎(chǔ);

雙極晶體管 - 能夠采用空穴和電子傳導(dǎo)電荷的晶體管;

綁定晶圓片 - 兩個(gè)晶圓片通過二氧化硅層結(jié)合到一起，作為絕緣層;

綁定面 - 兩個(gè)晶圓片結(jié)合的接觸區(qū);

埋層 - 為了電路電流流動(dòng)而形成的低電阻路徑，攙雜劑是銻和砷;

氧化埋層(BOX) - 在兩個(gè)晶圓片間的絕緣層。

02

載流子 - 晶圓片中用來傳導(dǎo)電流的空穴或電子;

化學(xué)-機(jī)械拋光- 平整和拋光晶圓片的工藝，采用化學(xué)移除和機(jī)械拋光兩種方式;

卡盤痕跡 - 在晶圓片任意表面發(fā)現(xiàn)的由機(jī)械手、卡盤或托盤造成的痕跡;

微坑 - 在擴(kuò)散照明下可見的，晶圓片表面可區(qū)分的缺陷;

傳導(dǎo)性- 一種關(guān)于載流子通過物質(zhì)難易度的測(cè)量指標(biāo);

導(dǎo)電類型 - 晶圓片中載流子的類型，N型和P型;

沾污顆粒 - 晶圓片表面上的顆粒;

晶體缺陷 - 部分晶體包含的、會(huì)影響電路性能的空隙和層錯(cuò);

耗盡層 - 晶圓片上的電場(chǎng)區(qū)域，此區(qū)域排除載流子;

03

凹槽 - 沒有被清除的擦傷;

手工印記 - 為區(qū)分不同的晶圓片而手工在背面做出的標(biāo)記;

霧度 - 晶圓片表面大量的缺陷，常常表現(xiàn)為晶圓片表面呈霧狀;

空穴 - 和正電荷類似，是由缺少價(jià)電子引起的;

晶錠 - 由多晶或單晶形成的圓柱體，晶圓片由此切割而成;

激光散射 - 由晶圓片表面缺陷引起的脈沖信號(hào);

光刻 - 從掩膜到圓片轉(zhuǎn)移的過程;

局部光散射 - 晶圓片表面特征，例如小坑或擦傷導(dǎo)致光線散射，也稱為光點(diǎn)缺陷。